Чугай О. М. Вплив механічної обробки поверхні на діелектричні та фотодіелектричні властивості кристалів AII>BVI / О. М. Чугай, С. Л. Абашин, С. В. Олійник, І. В. Луньов // Авіац.-косм. техніка і технологія. - 2021. - № 3. - С. 73-78. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Предметом вивчення є діелектричні та фотодіелектричні властивості кристалів A<^>IIB<^>VI складу ZnSe та Cd1-xZnxTe, які вирощені з розплаву, та пов'язані з цими властивостями структурні дефекти та внутрішні пружні поля. Мета роботи - дослідження закономірностей впливу механічної обробки поверхні шляхом шліфування, полірування та локального навантаження на дефектну структуру в області деформування, а відтак на діелектричні та фотодіелектричні властивості кристалів A<^>IIB<^>VI зазначеного складу, що є важливим з огляду застосування даних кристалів в аерокосмічній техніці. Завдання: дослідити закономірності впливу шліфування, полірування та локального деформування отриманої сколюванням поверхні зразків ZnSe і Cd1-xZnxTe на їхню дефектну структуру, діелектричні та фотодіелектричні властивості, включаючи необоротні зміни властивостей. Завдання вирішувались наступними методами: ємнісним методом досліджували діелектричні та фотодіелектричні властивості кристалів; методом скануючої фотодіелектричної спектроскопії вимірювали енергії фотоіонізації локалізованих станів носіїв зарядів у кристалах; поляризаційно-оптичним методом вивчався розподіл залишкових пружних напружень у зразках. Установлено, що шліфування та полірування спричиняє трансформацію власного та домішкового максимумів спектральних залежностей діелектричних параметрів кристалів A<^>IIB<^>VI, чинить характерний вплив на координатні залежності діелектричних параметрів кристалів Cd1-xZnxTe. Це зумовлено трансформацією локалізованих станів носіїв, що підтверджено дослідженням кристалів ZnSe. Локальне деформування кристалів Cd1-xZnxTe істотно впливає на їх діелектричні властивості, зокрема, зумовлює релаксацію діелектричних параметрів. Зроблено висновки, що механічна обробка поверхні кристалів A<^>IIB<^>VI шліфуванням і поліруванням, а також локальне механічне навантаження зразків Cd1-xZnxTe істотно впливає на їх діелектричні та фотодіелектричні властивості, що пов'язано з утворенням системи дефектів і внутрішніх пружних полів в областях деформування. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24839 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|