Vernydub R. M. Field effects in electron-irradiated GaP LEDs = Польові ефекти в опромінених електронами світлодіодах GaP / R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, Ya. M. Olikh, O. I. Radkevych, D. P. Stratilat, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2. - С. 179-184. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.Наведено результати досліджень польових ефектів, які спостерігаються у вихідних та опромінених електронами з E = 2МеВ, <$EF~=~8,2~cdot~10 sup 16> см<^>-2 світлодіодах фосфіду галію (GaP) при зворотному зміщенні. Розглянуто процеси лавинного множення носіїв струму та тунельного пробою у межах області просторового заряду. Виявлено зростання пробійної напруги після електронного опромінення. Проаналізовано наслідки відпалу вихідних та опромінених діодів у інтервалі температур <$E20~-~500~symbol Р roman C>. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|