Наведено результати досліджень польових ефектів, які спостерігаються у вихідних та опромінених електронами з E = 2МеВ, <$EF~=~8,2~cdot~10 sup 16> см<^>-2 світлодіодах фосфіду галію (GaP) при зворотному зміщенні. Розглянуто процеси лавинного множення носіїв струму та тунельного пробою у межах області просторового заряду. Виявлено зростання пробійної напруги після електронного опромінення. Проаналізовано наслідки відпалу вихідних та опромінених діодів у інтервалі температур <$E20~-~500~symbol Р roman C>.

• Оліх Ярослав Михайлович (фізико-математичні науки)
• Тартачник Володимир Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"