РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000817388<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Das S. 
The hole transport layer material optimization for an efficient lead-free double perovskite Cs2AgBiBr6 based solar cell by numerical simulation = Оптимізація матеріалу транспортного шару дірок для ефективного сонячного елемента на основі безсвинцевого подвійного перовскіту Cs2AgBiBr6 за допомогою чисельного моделювання / S. Das, M. G. Choudhury, S. Paul // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2022. - 14, № 3. - С. 03012-1-03012-4. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.

Безсвинцеві подвійні перовскіти нещодавно стали перспективним альтернативним матеріалом для застосування в сонячних елементах, демонструючи обнадійливі оптоелектронні властивості, високу екологічну стабільність і низьку токсичність. У роботі повідомлено про вплив різних матеріалів транспортного шару дірок на фотоелектричні характеристики сонячних елементів на основі безсвинцевих подвійних перовскітів. Оптимізація транспортних шарів дірок (HTLs) здійснюється шляхом кореляції напруги холостого ходу (Voc) із вбудованим потенціалом (Vbi). Результати моделювання показали, що вище значення Vbi призвело до більшого значення Voc. Також встановлено, що для правильного вибору HTLs, EV_HTL (максимум валентної зони HTL) і <$Ephi sub {roman BC }> (робота виходу зворотного контакту) не повинні бути набагато глибшими, ніж EV_PVK (максимум валентної зони подвійного перовскітного шару), щоб уникнути втрат Vbi. У дослідженні було розроблено пристрій FTO/TiO2/Cs2AgBiBr6/HTLs/Cu, і його одновимірне моделювання та аналіз було проведено симулятором ємності сонячних елементів (SCAPS-1D). Для роботи використано активний шар 0,3 мкм. Ефективність перетворення фотоелектричної енергії (PCE), Voc, Jsc і FF було одержано за допомогою числового моделювання. Виявлено, що найбільш підходящим матеріалом транспортного шару дірок є Spiro-OMeTAD. Крім того, в оптимізованих умовах PCE приладу зросла до 3,75 %. Оптимізовані фотоелектричні характеристики пристрою такі: напруга холостого ходу Voc = 7,2412 В, густина струму короткого замикання Jsc = 8,02965 мА/см<^>2, коефіцієнт заповнення FF = 6,45 %. В цілому, обнадійливі результати моделювання, одержані в даному дослідженні, нададуть вказівки щодо заміни широко використовуваного канцерогенного перовскіту на основі Pb екологічно чистими, високоефективними неорганічними перовскітними сонячними елементами.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8-03

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського