![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000817409<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Anwesh Design and analysis of junctionless VTFET device for sensing applications = Проектування та аналіз безперехідного пристрою VTFET для сенсорних додатків / Anwesh, S. Divakaran, Ravi Prakash Dwivedi, Yogendra Singh, Lucky Agarwal // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2022. - 14, № 3. - С. 03019-1-03019-5. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.Повідомляється про стратегію діелектричної модуляції структури TFET для покращання зондування біомолекул. Безперехідну структуру TFET запропоновано для спрощення процесу виготовлення. Метали з певними роботами виходу електронів осаджуються на ділянках джерела та стоку для накопичення носіїв заряду та створення переходу. Для покращання ємності затвора використовується діелектричний high-k матеріал (HfO2). Експлуатаційні параметри пристрою визначаються співвідношенням струмів у вимкненому стані до увімкненого (IOFF/ION) і підпороговим коливанням (SS). Далі конструкцію роблять вертикальною для підсилення електричного поля, отже іонний струм збільшується до 10<^>-4 А/мкм. Для покращання області захоплення біосенсора зроблено нанопорожнину біля нерухомого затвора. Моделі TCAD моделюються для діапазону чутливості шляхом заповнення біосенсора нейтральними/зарядженими біомолекулами з різними діелектричними сталими. Завдяки спільному впровадженню вертикального та бічного тунелювання чутливість пропонованого біосенсора зросла до 10<^>8. Струм стоку збільшувався зі збільшенням позитивного заряду та зменшувався зі збільшенням негативного заряду біомолекул. Чутливість у запропонованій структурі зросла в 10<^>4 рази у порівнянні з чутливістю, про яку повідомлялося в літературі. Це показує, що пропонований біосенсор може бути інтегрований з твердотільною схемою для використання в розумній електроніці.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|