Повідомляється про стратегію діелектричної модуляції структури TFET для покращання зондування біомолекул. Безперехідну структуру TFET запропоновано для спрощення процесу виготовлення. Метали з певними роботами виходу електронів осаджуються на ділянках джерела та стоку для накопичення носіїв заряду та створення переходу. Для покращання ємності затвора використовується діелектричний high-k матеріал (HfO2). Експлуатаційні параметри пристрою визначаються співвідношенням струмів у вимкненому стані до увімкненого (IOFF/ION) і підпороговим коливанням (SS). Далі конструкцію роблять вертикальною для підсилення електричного поля, отже іонний струм збільшується до 10<^>-4 А/мкм. Для покращання області захоплення біосенсора зроблено нанопорожнину біля нерухомого затвора. Моделі TCAD моделюються для діапазону чутливості шляхом заповнення біосенсора нейтральними/зарядженими біомолекулами з різними діелектричними сталими. Завдяки спільному впровадженню вертикального та бічного тунелювання чутливість пропонованого біосенсора зросла до 10<^>8. Струм стоку збільшувався зі збільшенням позитивного заряду та зменшувався зі збільшенням негативного заряду біомолекул. Чутливість у запропонованій структурі зросла в 10<^>4 рази у порівнянні з чутливістю, про яку повідомлялося в літературі. Це показує, що пропонований біосенсор може бути інтегрований з твердотільною схемою для використання в розумній електроніці.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"