Здійснено аналіз, заснований на дослідженні рухливості, яка є дуже важливим електричним параметром п'єзорезистора і безпосередньо пов'язана з п'єзорезистивним ефектом в датчику тиску. Було визначено, яким чином температура впливає на рухливість при застосуванні електричного потенціалу. З цією метою розроблено теоретичний і числовий підхід, заснований на мобільності кремнієвого п'єзорезистора p-типу та кінцево-різницевої моделі (FDM) для самонагрівання. Таким чином, еволюцію рухливості встановлено залежноі від часу для різних рівнів легування та підвищення температури за допомогою числової моделі у поєднанні з моделлю рухливості. Крім того, рухливість було розраховано як функцію напруги зміщення для деяких геометричних параметрів датчика, таких як довжина сторони мембрани та її товщина. Показано, що на рухливість сильно впливає підвищення температури, викликане прикладеним потенціалом, коли датчик приводиться в дію протягом тривалого часу. Як наслідок, виникає дрейф вихідної реакції датчика. Представлена робота надає змогу передбачити їх температурну поведінку через самонагрівання та покращити цей ефект шляхом оптимізації геометричних властивостей пристрою та зменшення амплітуди напруги, що подається на міст.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"