Проведено аналіз температурних та амплітудних залежностей концентрації носіїв заряду та їх рухливості в MOCVD гетероструктурах GaN/Al0,2Ga0,8N/GaN/AlN на сапфірі в умовах акустичного навантаження (поздовжні хвилі, f ~ 9 МГц). Виявлені температурні особливості змін електрофізичних характеристик надали змогу розглядати дану систему як складну - з паралельними каналами провідності. Показано, що за високих температур (T >> 200 К) переважає 3DEG провідність, яка має термоактиваційний характер і описується акусто індукованою перебудовою метастабільного DX-центра. За температур (T << 150 К) переважає 2DEG провідність. Тут визначальним механізмом є тунельний, природа якого пов'язана з дислокаціями. Акустоіндуковані зміни електрофізичних параметрів, найімовірніше, відбуваються поблизу дислокацій, які активно взаємодіють з ультразвуковими хвилями.

• Оліх Ярослав Михайлович (фізико-математичні науки)
• Тимочко Микола Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"