За резонаторним методом досліджено монокристали карбіду кремнію (SiС) політипу 6H з концентрацією донорів азоту <$E(N sub D ~-~N sub A )~symbol Ы~1~cdot~10 sup 17 ~-~4~cdot~10 sup 19> см<^>-3, вирощені за модифікованим методом Делі. За температурною залежністю зсуву резонансної частоти та мікрохвильових втрат резонатора, завантаженого досліджуваними зразками, оцінено температурну залежність електропровідності. За температурною залежністю натурального логарифма провідності від 1000/T визначено енергії активації процесів, що відповідають переходам електронів із домішкових рівнів у зону провідності (<$Eepsilon sub 1>) та перестрибування електронів по донорах азоту в зонах <$E roman D sup 0 ( epsilon sub 3 )>. Установлено, що в 6H-SiC <$Eepsilon sub 1 ~=~50> меВ для <$E(N sub D ~-~N sub A )~symbol Ы~1~cdot~10 sup 17> см<^>-3, <$Eepsilon sub 1 ~=~32> меВ і <$Eepsilon sub 3 ~=~6> меВ для <$E(N sub D ~-~N sub A )~symbol Ы~1~cdot~10 sup 19> см<^>-3, <$Eepsilon sub 1 ~=~13,5> меВ і <$Eepsilon sub 3 ~=~3,5> меВ для <$E(N sub D ~-~N sub A )~symbol Ы~4~cdot~10 sup 19> см<^>-3.

• Мойсеєнко Валентин Іванович (1953–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"