Виготовлено експериментальні зразки кремнієвих діодних датчиків температури для кріогенної термометрії. Досліджено технологічну відтворюваність і розкид технологічних параметрів діодних датчиків температури та їх вплив на параметри цих датчиків температури. Встановлено, що розкид рівня легування базової області у зразках не перевищує 20 %, а розкид товщини базової області становить 3,5 %. Точність вимірювання залежить від розкиду коефіцієнта неідеальності: за кімнатної температури та робочого струму 1 мкА зміна значення коефіцієнта неідеальності на 1 % призводить до похибки вимірювання +- 0,35 <^>oC, а зміна на 10 % призводить до похибки вимірювання +- 3,6 <^>oC.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"