РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Наукова періодика України (4)
Пошуковий запит: (<.>A=Pagava T$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Pagava T. A. Oscillatory dependence of electron Hall mobility on the annealing temperature for irradiated silicon. — 2004 // Укр. фіз. журн.
2.

Pagava T. A. Influence of the charge state of nonequilibrium vacancies on the formation and annealing kinetics of radiation-induced defects in n-Si crystals. — 2005 // Укр. фіз. журн.
3.

Pagava T. A. Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 8.
4.

Pagava T. Role of boron in formation of secondary radiation defects in silicon // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2015. - № 4/5.
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського