РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Наукова періодика України (8)
Пошуковий запит: (<.>A=Oberemok O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 12
Представлено документи з 1 до 12
1.

Grygoruk V. Abnormal unsteady heat conduction semiconductor diode structures // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка. - 2015. - Вип. 1.
2.

Melnik V. AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3.
3.

Oberemok OBorophosphosilicate glass component analysis by secondary neutrals mass spectrometry (SNMS) // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1.
4.

Oberemok O. S. Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 3.
5.

Klimovskaya A. I. Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 3.
6.

Gamov D.  Influence of <$E bold roman Al sup +> and <$E bold roman Ti sup +> implantation on radiating properties of the nanocluster structures. — 2008 // Фотоэлектроника.
7.

Oberemok O. S. Influence of deposition rate and substrate temperature on structure and optical features of NiO thin film // Functional Materials. - 2016. - 23, № 2.
8.

Gamov D.  Influence of nitrogen impurity on photoluminescence of silicon nanoclusters in SiO2 matrix. — 2009 // Укр. фіз. журн.
9.

Trunov M. L. Light-induced mass transport in amorphous chalcogenides/gold nanoparticles composites // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 4.
10.

Sabov T. M. Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 2.
11.

Gamov D. V. Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 9.
12.

Romanjuk B. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1.
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського