Пошуковий запит: (<.>U=В379.251.4<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 63
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Андрухив А. М. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов Zn Cd Hg . Te : Дис...канд. физ.- мат. наук: 01.04.10. — СПб., 1992
|
| 2. |
Андрухив А. М. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов Zn Cd Hg . Te : Дис...канд. физ.- мат. наук: 01.04.10. — СПб., 1992
|
| 3. |
Шепель Л. Г. Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 4. |
Баран Н. П. Исследование процесса старения пористого кремния. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 5. |
Dubovik M. F. Study of specific features of lanthanum, gallium and silicon oxides interaction in the course of lanthanum gallosilicate La3Ga5SiO14 // Functional Materials. - 1999. - 6, № 1.
|
| 6. |
Червоний І. Ф. Наукове обгрунтування і розробка технології монокристалів кремнію методом спеціальної електрометалургії (безтигельною зонною плавкою) : Автореф. дис... д- ра техн. наук : 05.16.03. — Запоріжжя, 1999
|
| 7. |
Трубицын Ю. В. Усовершенствование метода бестигельной зонной очистки кремния. — Запорожье, 2000 // Металлургия.
|
| 8. |
Сольский И. М. Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров. — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 9. |
Мужик Г. М. Робота виходу поруватого кремнію після термічного відпалу в умовах високого вакууму. — 2006 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 10. |
Bagmut A. G. Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films // Functional Materials. - 2008. - 15, № 3.
|
| 11. |
Bashmakova N. V. Li2Zn2(MoO4)3 crystal as a potential detector for <$E bold {nothing sup 100 roman Mo}> 2<$E bold beta>-decay search // Functional Materials. - 2009. - 16, № 3.
|
| 12. |
Каримов А. В. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 13. |
Kolesnikov A. V. The complex heat exchange model at growing of large alkali halide crystals // Functional Materials. - 2010. - 17, № 4.
|
| 14. |
Galashov E. N. Growing of 106CdWO4, ZnWO4, and ZnMoO4 scintillation crystals for rare events search by low thermal gradient Czochralski technique // Functional Materials. - 2010. - 17, № 4.
|
| 15. |
Shlegel V. N. Comparison of the quality of Bi12GeO20 crystals grown by the conventional and low-temperature-gradient Czochralski techniques // Functional Materials. - 2010. - 17, № 4.
|
| 16. |
Гасинець С. М. Вплив термічної передісторії на процеси неізотермічної кристалізації склоподібного та аморфного селену. — 2010 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 17. |
Ліщинський І. М. Процес неізотермічної кристалізації в стеклах <$E bold {roman {(As sub 0,4 Te sub 0,6 )} sub 100-x {roman Ag} sub x}> (x = 0, 5, 15 ат. %). — 2010 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 18. |
Мудрий С. І. Кристалізація аморфного сплаву Fe73,7Nb2,4Cu1,0Si15,5B7,4 під дією лазерного опромінення поверхні. — 2010 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 19. |
Сычикова Я. А. Зависимость конфигурации пористого слоя фосфида индия от концентрации носителей заряда. — 2010 // Журн. нано- та електрон. фізики.
|
| 20. |
Габелков С. В. Кинетика кристаллизации наночастиц аморфного оксида циркония // Доп. НАН України. - 2011. - № 7.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
