Пошуковий запит: (<.>A=Кідалов В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 26
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Сукач Г. О. Нітриди третьої групи: перспективи розвитку та застосування (огляд). — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 2. |
Сукач Г. О. Фізико-математичне моделювання процесів нітридизації галієвих сполук <$E bold roman {A sup 3 B sup 5}> в радикалах азоту. — 2004 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 3. |
Кідалов В. В. Морфологія пористого арсеніду галію. — 2005 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 4. |
Кідалов В. В. Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук <$Eroman bold {А sup 2 В sup 6 }> та <$Eroman bold {А sup 3 В sup 5 }>, отримані методом радикало-променевої епітаксії : Автореф. дис... д-ра фіз.- мат. наук. — О., 2006
|
| 5. |
Сукач Г. О. Фізико-хімічні аспекти матеріалів підкладок для епітаксійного вирощування плівок GaN: (огляд). — 2007 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 6. |
Сукач Г. О. Підкладки для епітаксійного росту нітридів ІІІ групи : Моногр. — К.: Четверта хвиля, 2007
|
| 7. |
Сукач Г. О. Шари ZnO:P p-типу з ультрафіолетовою фотолюмінесценцією, отримані методом радикало-променевої епітаксії. — 2007 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 8. |
Кідалов В. В. Властивості структур GaNAs та GaN, отриманих нітридизацією поруватих підкладок GaAs. — 2008 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 9. |
Сукач Г. О. Процеси випромінювальної рекомбінації в поруватих структурах n-GaP, отриманих методом електролітичного травлення в кислотних розчинах на основі HF та H2SO4. — 2009 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 10. |
Цифрова обробка аудіо- та відеоінформації у мультимедійних системах : навч. посіб. для студентів ВНЗ. — 2-ге вид. — Київ: Наукова думка, 2009
|
| 11. |
Сичікова Я. О. Текстурування поверхні фосфіду індію. — 2010 // Журн. нано- та електрон. фізики.
|
| 12. |
Сичікова Я. А. Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів р-InP та р-GaAs. — 2010 // Электроника и связь.
|
| 13. |
Сичікова Я. А. Вплив дислокацій на пороутворення в монокристалах n-InP та n-GaP, оброблених в травниках на основі HF. — 2010 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 14. |
Кідалов В. В. Особливості пороутворення напівпровідників на прикладі селеніду цинку та фосфіду індію. — 2011 // Электроника и связь.
|
| 15. |
Сичікова Я. О. Дефекти структури та процеси пороутворення у фосфіді індію : монографія. — Донецьк: Юго-Восток, 2011
|
| 16. |
Сукач Г. О. Технологічні основи електроніки : навч. посіб. для студ. вищ. навч. закл., які навч. за спец. "Фізика". — Донецьк: Юго-Восток, 2011
|
| 17. |
Бойко В. В. Фізика : підруч. для студ. нефіз. спец. ВНЗ. — Донецьк: Юго-Восток, 2012
|
| 18. |
Дяденчук А. Ф. Низькорозмірні структури GaN // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2014. - 6, № 4.
|
| 19. |
Хрипко С. Л. Сонячні батареї, створенні на основі низькорозмірних нанокомпозитних структур // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 4 (ч. 2).
|
| 20. |
Дяденчук А. Ф. Отримання поруватих напівпровідників методом електрохімічного травлення : монографія. — Бердянськ: БДПУ, 2017. — 110, [1]: рис.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
